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陶瓷COB技术大幅节省封装成本
发布者:光拓光电    发布时间:2016-8-18    点击率:  
 

如何利用陶瓷高散热系数特性下,节省材料使用面积以降低生产成本,成为陶瓷LED发展的重要指标。因此,近年来,以COB陶瓷基板材料设计整合多晶封装与系统线路亦逐渐受到各封装与系统厂商重视。

 
LED封装方式是以晶粒(Die)经过打线、共晶或覆晶封装技术与其散热基Submount(次黏着技术)链接而成LED芯片,再将芯片固定于系统板上链接成灯源模块。 
 
目前,LED封装方法大致可区分为透镜式(Lens-type)以及反射杯式(Reflector-type),其中透镜的成型可以是模塑成型(Molding)或透镜黏合成型;如图1(a)所示,而反射杯式芯片则多由混胶、点賿、封装成型;如图1(b)所示。

近年来磊晶、固晶及封装设计逐渐成熟,LED的晶粒尺寸与结构逐年微小化,高功率单颗晶粒功率达1~3W,甚至是3W以上,当LED功率不断提升,对于LED晶粒载版及系统电路版的散热及耐热要求,便日益严苛。
 
 
鉴于绝缘、耐压、散热与耐热等综合考虑,陶瓷基板成为以晶粒次黏着技术的重要材料之一。其技术可分为厚膜制程(Thick film)、低温共烧制程(LTCC)与薄膜制程(DPC)等方式制成。然而,厚膜制程与低温共烧制程,是利用网印技术与高温制程烧结,易产生线路粗糙、对位不精准、与收缩比例问题,若针对线路越来越精细的高功率LED产品,或是要求对位准确的共晶或覆晶制程生产的LED产品而言,厚膜与低温共烧的陶瓷基板,己逐渐不敷使用。
 
为此,高散热系数薄膜陶瓷散热基板,运用溅镀、电/化学沉积,以及黄光微影制程而成,具备金属线路精准、材料系统稳定等特性,适用于高功率、小尺寸、高亮度的LED的发展趋势,更是解决了共晶/覆晶封装制程对陶瓷基板金属线路分辨率与精确度的严苛要求。薄膜陶瓷COB(Chip On Board)散热基板可以符合不同照明需求。 
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